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少子寿命分析仪
发布日期:08-05-19
  产品特点:
 
1.HS-L1采用微波反射光电导衰退发准确分析测量半导体硅材料的少子寿命,实现

2.对于材料的质量合格检测,并对太阳能电池生产工艺进行有效的控制。

 主要参数:

测试范围和精度

 测试范围

单片或块状硅材料;扩散形成P-N后的太阳电池(均无金属电极)

 少子寿命

1um-1ms

 测试速度

0.1second/point

 测试不重复度

5%

电源要求

 电源

200VAC±10%,20A,50Hz单相

 
 
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