808nm高功率半导体激光器芯片取得显著进展

时间：2024/6/18 8:21:41 来源：打印

      西安立芯光电科技有限公司（以下简称“立芯光电”）研发团队经过持续地技术攻关，在808nm高功率半导体激光器芯片上取得显著进展。

      808nm半导体激光器作为理想的、高效率的固体激光器泵浦源，在先进制造、机械加工、医疗美容、激光显示、科研与航空航天等领域发挥着重要作用。随着市场对高效能激光解决方案的需求不断上升，高功率、高效率的激光芯片已成为推动行业发展的关键因素。公司研发团队通过对结构升级及外延技术优化，提高了808nm高功率半导体激光器芯片的斜率效率、高温特性及输出功率等性能；通过优化腔面镀膜技术，芯片腔面的损伤阈值COMD得到提高，从而使芯片的可靠性得到大幅提升。

      测试结果表明，立芯光电封装的高功率808nm COS激光芯片，在QCW 86A下，输出功率高达81W，最大光电转换效率（PCE）达到57%，这体现出该产品具有优良的高温特性，高损伤阈值和高可靠性。

      这一创新成果的实现，凸显了立芯光电在高功率半导体激光器芯片领域的深厚技术积累和卓越的创新实力。它不仅增强了公司在国内市场的竞争地位，而且促进了采用此类高功率激光芯片作为泵浦源的固体激光器技术的进步。