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1000A(100nm)栅极氧化固态剂量

VIP 第2年
1000A(100nm)栅极氧化固态剂量
  •  参考价: 询价
  • 最小起订: 10
  • 供货总量: 大量
  • 发布日期: 2010/1/14
  • 有效日期: 2010/7/13 11:48:17
  •  产 地: 北京
  • 经营模式: 生产型
  • 认证信息: 已认证
  • 电话:010-88258670
  • 传真:
  • 网址:http://www.wahenyida.com
  • 地址:北京市石景山区万达广场D座1011-1015室(100043)
  • 北京华恒鑫达科技发展有限公司的产品
  • 北京华恒鑫达科技发展有限公司的商铺
详细介绍

技术要求

典型数值在27°C

 

氧化层厚度1000A

 

辐射Vth灵敏度

辐射场 = 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.09mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度
= 0.014mV/rad
(
灵敏度在 30 krad(H2O),在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)

 

温度补偿

TVTC 2.5mV/°C
(
该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值)

线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 3µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 30µA
(
使用以下读写器电路配置)

预辐射剂量计的特点

阈值电压(外推)-2.15 +/- 0.1V

Vth漂移时间(秒)2.2mV/十年
(
该数据出自读写器配置强迫40µA.)

氧化层击穿电压 ~ 75V

沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA

亚阈值斜率100 +/- 20 mV/十年

沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms

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